氧化钒和非晶硅的不同点：
1、成像原理不同
氧化钒探测器一个像元就是一个精确的温度，多晶硅薄膜由于材料生长的特性，对温度的变化相对不敏感，但随着软件算法的发展，可以通过图像算法程序做一定程度的弥补。通过图像算法把N*N（N≥2）个像元的平均温度作为一个测温值，临近区域给出一个模拟的人工数值。
2、 薄膜沉积方法
氧化钒薄膜采用反应溅射沉积方法制备，需要对标准CMOS工艺PVD设备进行改造，引入O2作为反应气体，实现薄膜氧化。
非晶硅薄膜采用化学气相沉积（CVD）方法制备，需要对标准CMOS工艺CVD设备进行改造，引入H2作为反应气体，实现薄膜掺氢工艺。
3、薄膜性能指标不同
薄膜性能指标不同（主要包括TCR电阻温度系数、1/f噪声系数、电阻率与电阻均匀性）
氧化钒薄膜与非晶硅薄膜都是半导体热敏薄膜，薄膜TCR与电阻率都成正比关系。
4、器件技术指标
氧化钒的指标为20-30mk， 非晶硅的50-60mk，但是实际效果有的图像效果非晶硅反而更好。不要轻易看这个指标的概念
