IGBT以发射极电压为基准电位驱动。开关动作时，上桥臂IGBT的发射极电位VE在0伏和母线电压V+之间变化。在AC200V电路中，要开通上桥臂IGBT时，需要对门极施加300V加15V，合计315V的母线电压。因此，需要不受开关噪声干扰影响的上桥臂驱动电路。
上桥臂驱动可以使用了光耦合器和高压驱动集成电路。
使用光耦合器的上桥臂驱动：在大容量电路中，使用光耦合器进行绝缘，此外还添加离散缓冲器的输出端。在中容量以下的电路中，使用将上述功能集成为一体的混合集成电路。
