砷化镓是第二代半导体，氮化镓是第三代半导体材料，氮化镓的温度和频率特性都优于砷化镓。
氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的减少，还可提高效率。氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体
