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mdd1902N沟道100V40ATO-252MOSFET场效应管。漏源电压(Vdss)100漏极电流(Id)40漏源导通电阻(RDSOn)8.7栅源电压(Vgs)±20配置类型MOSFET场效应管工作温度范围-55～150。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输......