半导体吸片是通过引入缺陷和杂质，在硅片内形成因局部无序而产生的应力场（吸除源），与有源区的杂质与缺陷相互作用，使之脱离而达到净化有源区的目的。
吸除技术有外吸除和内吸除两种。外吸除包括背面金属膜沉积、溶质重扩散、离子注入、机械损伤、激光损伤、氮化硅膜沉积和多晶硅沉积等方法。内吸除则是在硅片内引入吸除源。对于直拉硅片，在热过程中由于过饱和间隙氧的外扩散，可在硅片正表面形成一个十几至几十微米厚的低氧无缺陷剥光区，这正是器件源区所在区域。而在硅片体内，过饱和间隙氧沉淀和由其诱生的大量缺陷，如无定型氧沉淀、层错、小位错回线等，则成为理想的吸除源。这种为实现氧的可控沉淀的通用热处理法，其主要缺点是耗时耗电，且效果的重复性和稳定性差，这是因为硅中氧沉淀受硅单晶热历史、过饱和间隙氧含量及其分布的制约。如果适当改变硅中本征点缺陷的浓度和性质(间隙型或空位型)，在热过程中可以实现硅中氧的可控沉淀，如采用辐照引入缺陷或等价掺杂等方法。
