应该是DIBL效应。
定义
DIBL效应是漏端引入的势垒降低（DIBL，Drain Induced Barrier Lowering）效应，指的是小尺寸场效应晶体管（FET）中所出现的一种不良现象。
这是小尺寸场效应晶体管（FET）中所出现的一种不良现象，即是当沟道长度减小、电压Vds增加、使得漏结与源结的耗尽层靠近时，沟道中的电力线可以从漏区穿越到源区，并导致源极端势垒高度降低，从而源区注入到沟道的电子数量增加，结果漏极电流增加。沟道长度越短，DIBL效应就越严重。
实际上，DIBL效应往往与沟道长度调制效应同时发生，因为这些效应都是小尺寸场效应晶体管中容易出现的问题。
