irf5210s三极管参数:
系列：HEXFET®FET 类型：P通道漏源电压（Vdss）：100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 38A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：230nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2780pF @ 25V功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），170W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）。
