A2SHB是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。A2SHB基本参数VDS = 20V， ID =3.2A ，RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=4.5V。A2SHB耗散功率（PD）：1 W漏极电流（ID）：2.9 A漏极和源极电压（VDSS）：20 V漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.059。场效应三级管具有输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强等特点。
